近年、パワー半導体では、低損失化、高耐圧化、高温動作性などさらなる性能向上が求められています。

特にSiCなどのワイドバンドギャップ（WBG）半導体の採用が進みパワー半導体はより高温・大電流の環境で使用されるようになっています。
半導体素子の性能が向上すると、ジャンクション温度（Max Tj）が上昇しON・OFF時の温度差も大きくなるため半導体パッケージにかかる熱的な負荷も大きくなります。

パワー半導体のパッケージでは、チップを保護するモールド樹脂とリードフレームの密着性が重要です。高温環境では、樹脂と金属の熱膨張率が異なるため、温度変化によって両者の界面にズレが生じます。
また、パッケージが吸湿した状態で高温になると、水分が気化して体積が膨張し、樹脂とリードフレームの剥離につながることがあります。

剥離が発生すると、クラックや腐食などの問題につながる可能性があるため
特に高温・高湿環境で使用される車載向け半導体では、パッケージの信頼性向上が課題となります。

パワー半導体パッケージでは、モールド樹脂とリードフレームの密着性を高め、温度変化などによる剥離を抑えることが重要です。
そこで、リードフレームとなる銅材の表面を粗化することで、樹脂との密着性を向上させる方法があります。
銅表面に凹凸を形成することで、モールド樹脂が表面の凹凸に入り込み、アンカー効果によって樹脂と金属の密着性向上につながります。

ニシハラ理工では、薬品への浸漬による銅粗化処理に対応しています。