下地めっき（一般的にはNiまたはCuめっき）の種類を変えることで金属間化合物の成長または、拡散速度に大きな違いが見られます。
 
Fig.1にNi及びCu下地めっき後にSnめっきを施し、20000Hr室温放置後に純Snめっき層をエッチング処理し、SEM観察した写真を示します。下地Cuめっきの場合、Cu₆Sn₅化合物がSnの粒界に沿って『こぶ状』に成長するのに対し、Niめっきは薄箔状に成長しています。

下地Niめっきで得られるウィスカ抑制効果は、Ni₃Sn₄化合物層が薄箔状に成長することで、純Snめっきに層に与える内部応力を緩和しているものと推測致します。