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ウィスカ対策
(Sn系めっき)

snplating

提案例(3):めっき後 後処理の検討

仕上げめっき後に熱処理(アニール処理)を加える方法も効果的です。 Fig.3 にC1100上にSnめっき-後処理有無を施し20000Hr室温放置後、エッチング処理をし化合物層の成長を観察した結果を示します。 結果が示すように、熱処理を行うことにより、Cu6Sn5の化合物成長が抑制されている様子が分かります。。

Fig.3:仕上げ熱処理有無によるSn化合物成長の違い

C1100上純Snめっき熱処理なしの化合物層の様子

C1100上純Snめっき熱処理なしの化合物層の様子

C1100上の純Snめっき

C1100上の純Snめっき

本項では、『下地めっき』『仕上げめっき』『後処理』という めっきプロセスの中での改善を行い、金属間化合物の成長を抑制できることが分かりました。また、一部の環境試験下でのウィスカ抑制効果も確認できました。但し、『腐食により発生するウィスカ』または、『熱膨張係数の違いにより発生するウィスカ』、『外部応力により発生するウィスカ』は発生メカニズムが異なるため、違ったアプローチ・改善が必要となります。

ニシハラ理工は全ての環境試験下での『ウィスカ発生ゼロ』を目指し、現在も様々な視点からの評価・解析に取り組み開発に繋げています。

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